Līdzīgi kā procesors, arī atmiņa ir integrālshēma, kas sastāv no miljoniem kondensatoru un tranzistoru. Vispopulārākajā operatīvās atmiņas tipā DRAM, kondensators un tranzistors veido vienu atmiņas šūnu, kas simbolizē vienu datu bitu. Kondensators satur šo informācijas bitu – 1 vai 0. Tranzistors darbojas kā slēdzis, kas ļauj vadības ķēdei uz atmiņas mikroshēmas nolasīt kondensatoru vai mainīt tā stāvokli.
Kondensators sevī uzglabā elektronus. Lai atmiņā saglabātu 1, kondensators uzlādējas ar elektroniem. Ja jāsaglabā 0, elektroni no kondensatora pazūd. Problēma ar kondensatoru ir tā, ka dažu milisekunžu laikā elektroni no tā izzūd. Tādējādi, lai dinamiskā atmiņa varētu darboties, vai nu procesoram, vai arī atmiņas kontrolierim šūnas, kas satur 1 ir nepārtraukti jāuzlādē, pirms tās var izlādēties. Lai to izdarītu, atmiņas kontrolieris nepārtraukti lasa atmiņu un, ja nepieciešams, to atjauno. Šī uzlādēšanas operācija automātiski notiek vairākas tūkstoš reizes sekundē.
Šī „uzlādēšanas operācija” tad arī ir tā, no kuras dinamiskā atmiņa aizgūst savu vārdu. DRAM ir nepārtraukti jāatjauno vai tā aizmirst ko satur. Sliktā puse ir tā, ka šī atsvaidzināšana prasa laiku un tādējādi samazina atmiņas ātrumu.
Atmiņas šūnas ir „iegravēts” silikona vafelē, režģī, kas sastāv no kolonnām (bitu līnijas) un rindām (vārdu līnijas). Bitu līnijas un vārdu līnijas krustošanas punkts veido konkrētās atmiņas šūnas adresi.
DRAM darbojas sūtot lādiņu pa attiecīgo kolonnu, lai aktivizētu katras atmiņas šūnas tranzistoru. Kad notiek ieraksts, rindas līnijas satur stāvokli, kurš jāpārņem kondensatoram. Kad notiek nolasīšana, uztveršanas pastiprinātājs nosaka sprieguma līmeni kondensatorā. Ja līmenis ir lielāks par 50%, tad šūna tiek nolasīta kā 1, ja mazāks, tad to nolasa kā 0. Skaitītājs novēro atsvaidzināšanas procesu, balstoties uz to, pie kurām rindām notiek piekļūšana un kādā secībā tas notiek. Laika sprīdis, kas nepieciešams ir tik niecīgas, ka to mēra nanosekundēs (sekundes miljardā daļa).…
