-
Flash atmiņa
Nr. | Sadaļas nosaukums | Lpp. |
IEVADS | 4 | |
1. | FLASH ATMIŅA | 5 |
1.1 | ROM | 6 |
1.2 | PROM | 6 |
1.3 | NVRWM | 7 |
1.4 | EEPROM | 8 |
1.5 | FLASH – FLASH ERASE EEPROM | 8 |
2. | FLASH ATMIŅAS ORGANIZĀCIJA | 10 |
2.1 | KOPĒJAIS FLASH ATMIŅAS LIGZDAS DARBA PRINCIPS | 10 |
2.2 | DAUDZLĪMEŅU LIGZDAS (MLC – MULTI LEVEL CELL) | 14 |
3. | FLASH – ATMIŅAS ARHITEKTŪRA | 16 |
4. | ATMIŅAS KARTES (FLASH-KARTES) | 20 |
4.1 | PC-CARD (PCMCIA) VAI ATA FLASH | 20 |
4.2 | COMPACT FLASH (CF) | 21 |
4.3 | SMART MEDIA (SSFDC – SOLID STATE FLOPPY DISK CARD) | 22 |
9. att. SmartMedia kartes uzbūve | 23 | |
4.4 | XD-PICTURE CARD | 23 |
4.5 | MMC (MULTI MEDIA CARD) | 23 |
4.6 | SD CARD | 24 |
4.7 | SONY MEMORY STICK: | 26 |
SECINĀJUMI | 28 | |
IZMANTOTĀ LITERATŪRA | 29 |
Flash atmiņa – īpaša veida energoneatkarīga daudz reižu pārrakstāma atmiņa.
Energoneatkarīga – nepieprasa papildus enerģiju datu uzglabāšanai
(enerģija vajadzīga tikai tad, kad dati tiek ierakstīti)
Daudz reižu ierakstāma – datu daudz reižu pārrakstīšana.
Pusvadītāju atmiņa – nesatur mehāniski kustinošus elementus kā CD un HDD), uzbūvēta uz integrālo mikroshēmu (IC-Chip) pamata.
Atšķirībā no daudzām cita tipa pusvadītāju atmiņām, flash atmiņas ligzda nesatur kondensatorus – tipiska flash atmiņas ligzda sastāv no viena, īpašas arhitektūras- tranzistora. Flash atmiņas ligzda lieliski mērogojams, ne tikai tika sasniegta pateicoties tranzistora uzbūvei, bet arī pateicoties konstruktīviem sasniegumiem, kuras ļauj vienā flash atmiņas ligzdā glabāt vairākus bitus informācijas.
Flash atmiņa vēsturiski tika radīta no ROM (Read Only Memory) atmiņas, un tā funkcionē līdzīgi RAM (Random Access Memory). Flash dotie glabā atmiņas ligzdās, līdzīgas DRAM ligzdām. Atšķirībā no DRAM pie elektroenerģijas atslēgšanas dati no flash atmiņas nepazūd. Atmiņas aizstājēji SRAM un DRAM flash atmiņas nenotiek divu īpatnību dēļ: flash strādā būtiski lēnāk un tam ir ierobežojums par pārrakstīšanas ciklu skaita ( no 10000 līdz 1000000 priekš dažādiem tipiem). Drošība/ilgdarbīga: informācija, kura tiek ierakstīta uz flash atmiņas, var uzglabāties ļoti ilgu laiku ( no 20 līdz 100 gadiem), un tā var izturēt nozīmīgas mehāniskas slodzes ( 5-10 reizes pārsniedz pieļautas priekš cietiem diskiem). Galvenā flash atmiņas priekšrocība salīdzinoši ar cietajiem diskiem un CD-ROM, ka flash atmiņa patērē salīdzinoši ( 10-20 reizes) mazāk enerģijas darbā laikā. CD-ROM, cietajos diskos, kasetēs un citās mehāniskajos informāciju nesējos, liela daļa enerģijas aiziet uz mehāniskās ierīces iedarbinātību. Pie tām, flash atmiņa ir kompaktāka nekā citās mehāniskās ierīces. Vairāki informācijas izplatītāji flash atmiņu attiecina uz ROM organizāciju. Flash atmiņa nekādi nevar būt ROM tikai tāpēc, ka ROM tulkojumā skan kā “atmiņa tikai lasīšanai”. Ne par kādu pārrakstīšanas iespēju nevar būt nekādas runas!
No sākuma tam nepievērsa nekādu uzmanību, taču kad sāka attīstīties tehnoloģijas, kad flash atmiņa sāka izturēt 1 miljonu pārrakstīšanas ciklu, un sāka izmantoties kā informācijas uzkrājējs, šīs klasifikācijas trūkums sāka mesties tieši acīs. Starp pusvadītāja atmiņām attiecas tikai divu tipu ROM atmiņas: Mask –ROM un PROM. Atšķirībā no tiem EPROM, EEPROM un flash attiecas pie energoneatkarīgas daudz reižu pārrakstāmas atmiņu klasifikācijas.
…
Šīs ir kursadarbs par flesh atmiņu. Tajā iekšā ir aprakstīta flash-atmiņas arhitektūra, flash- atmiņas vēsture, atmiņas tipi, atmiņas kartes, flash-atmiņas organizācija.
-
Tu vari jebkuru darbu ātri pievienot savu vēlmju sarakstam. Forši!Operatīvā atmiņa (RAM)
Referāts vidusskolai13
-
Operatīvā atmiņa
Referāts vidusskolai7
-
Ārējās atmiņas pārvalde
Referāts vidusskolai8
-
Atmiņas moduļi
Referāts vidusskolai2
-
Datora atmiņa RAM
Referāts vidusskolai18