Bipolārais tranzistors kopemitera slēgumā

Bipolārā tranzistora struktūra
Bipolārais tranzistors ir pusvadītāju ierīce ar divām p-n pārejām, kuru izmanto elektrisko signālu pastiprināšanai un kā bezkontaktu slēdzi.
Iespējamas p-n-p un n-p-n tranzistoru struktūras.
Tranzistors izveidots no silīcija vai germānija monokristāla, kurā radītas divas p-n pārejas nelielā attālumā viena no otras.
Tranzistora izgatavošanas procesā vidējo zonu (bāzi) izveido plānu un ar ievērojami mazāku lādiņnesēju koncentrāciju nekā malējās zonās, kuras sauc par emiteru un kolektoru. Tranzistoru parasti ieslēdz shēmā tā, lai emitera pārejai (p-n pārejai starp emiteru un bāzi) būtu pielikts caurlaides virziena spriegums, bet kolektora pārejai –sprostspriegums.…