Pusvadītāju tenzorezistori. Salīdzinājumā ar apskatīto tipu tenzorezistoriem, pusvadītāju tenzorezistoriem ir vairākas būtiskas priekšrocības: jūtība ir 50-60 reižu augstāka, mazi izmēri, liels signāls mērīšanas shēmu izejā, tāpēc var neizmantot pastiprinātājus. Pie tam nemainot tenzorezistora lielumu, tā pretestību var mainīt ļoti plašās robežās (no 100 līdz 50k), pievienojot devēja materiālam piemaisījumus un mainot izgatavošanas tehnoloģiju tenzojūtības koeficients mainās robežās no –100 līdz +200.
Salīdzinājumā ar stieples tenzorezistoriem pusvadītāju tenzorezistori deformācijas iedarbībā var ievērojami(līdz 50%) mainīt tenzopārveidotāja pretestību. No materiāliem ar vislielāko tenzoefektu, tenzorezistoros galvenokārt izmanto silīciju un ģermāniju. Tiem piemīt augsta tenzojūtība, tie ir ķīmiski inerti, karsējami līdz 500C , un no tiem var izgatavot dažādas formas tenzorezistorus. Pusvadītāju tenzorezistoru īpašības un raksturlielumus nosaka materiāls, kristalogrāfisko asu virzieni, īpatnējā pretestība un vadītspējas tips.
Pusvadītāju tenzorezistoru trūkumi ir maza mehāniskā izturība un niecīga elastība, kā arī neraugoties uz lielo tenzojūtību, tās nodrošināšana ir sarežģīta, jo rezistori ir jūtīgi pret ārējo apstākļu iedarbību.
…
