Optiskie rezonatori var tikt lietoti arī kā optiskās aiztures līnijas, laužot gaismas staru, lai liels garums tiktu sasniegts mazā laikā. Plaknes-paralēlās rezonatora caurulītes ar plakaniem spoguļiem rada plakanu zāģveida gaismu. Bet, kad tiek lietoti liektie spoguļi ar konstantu fokusu, tad gaisma veidojas apļveidīgā zāģa līnijā. Tā tiek saukta arī par Herriota tipa aizkaves līniju. Fiksēts spogulis tiek novietots blakus vienam no liektajiem spoguļiem, un pārvietojams spogulis tiek novietots blakus otram liektajam spogulim. Stara rotācija caurulītes iekšienē maina polarizācijas stāvokli. Lai to kompensētu, ir nepieciešama viena, vienkārša aiztures līnija, ko veidotu divi vai trīs spoguļi, 2D vai 3D konfigurācijā [12].
2.3. Pusvadītāja struktūra
Kristālā, katra atoma diskrētie enerģijas līmeņi tiek paplašināti līdz enerģētiskajām joslām. Katram kvantu stāvoklim atomā tiek dota noteikta enerģētiskā josla. Savienotās stāvokļu kombinācijas kristālā kļūst par valentām joslām (VB) un nesavienotās kombinācijas kļūst par vadāmības joslām (CB). Enerģijas starpība starp VB un CB tiek saukta par enerģijas spraugu. Ja valentās joslas ir daļēji pildītas, tad materiāls ir p-tipa, ja vadāmības joslas ir daļēji pildītas, tad materiāls ir n-tipa. Fermi līmenis šeit tiek lietots lai marķētu elektronu stāvokli pusvadītājā. Fermi līmenis (Efp) atrodas uz p-tipa blakus valentai joslai un (Efn) uz n-tipa atrodas blakus vadāmības joslai.
Kad divi pusvadītāji ar atšķirīgām joslu struktūrām tiek sakombinēti, heteropāreja tiek izveidota. Šāda p-n heteropāreja tiek saukta par diodi. Elektroni pārbīdās uz otru pusi dēļ atšķirīgiem Fermi līmeņiem. Tie kombinējas viens ar otru tādā veidā atstājot p-pusi ar negatīvu lādiņu un n-pusi ar pozitīvu lādiņu. To sauc par telpas lādiņa slāni. Sākuma spriegums V0 parādās dēļ lādiņu pārbīdes. Kad sprieguma nav, Fermi līmenis ir nepārtraukts visā diodē Efp = Efn tas ir parādīts 2.2. attēlā. Sākuma spriegums kavē elektronus kuri atrodas vadāmības joslā uz n-tipa, lai tie neizplatās vadāmības joslā uz p-tipa, līdzīgi notiek ar caurumiem valentajā joslā. Pieslēgtais spriegums V var nošķirt Efp un Efn par eV, tādējādi Fermi līmenis diodē nav nepārtraukts. Atdalītais Fermi līmenis katrā pusē tiek saukts par pusfermi līmeni, tas ir parādīts 2.3. attēlā.
Pieliktā sprieguma dēļ pastāv rekombinācijas process un diodes strāva nostabilizējas. Kad pieliktais spriegums (V) ir lielāks par sākuma spriegumu (V0), tad telpas lādiņa slānis vairs netiek tukšots. Tagad vairāk elektronu tiek piesaistīti vadāmības joslā pie Ec , savukārt mazāk elektronu piesaista valentā josla pie Ev [7].
…
